Samsung Electronics, mevcut DRAM'lerden çok daha verimli ve daha az güç harcayan yeni bellek yongaları ürettiğini duyurdu. Samsung 30 nm'lik yeni yongaları ile dünyada bir ilki gerçekleştirdi.
Samsung, dünyanın ilk 30 nm'lik DRAM'ini ürettiğini duyurdu. Şirketten alınan bilgilere göre, 30 nm teknolojisi DDR3 verimliliğini, 40 nm ile karşılaştırıldığında %60, 50 nm ile karşılaştırıldığında %100 artırıyor.
Geliştirilen yeni 30 nm'lik DRAM, 2 Gbit'lik bir DDR3 bellek yongasından oluşuyor.
Samsung Electronics Bellek Bölümü Başkanı Soo-In Cho, 30 nm süreci ile üretilen DDR3'lerin, mevcut engelişmiş düşük güçlü DDR3'ler olduğunu ve en verimli DRAM çözümü olduğunu belirtti.
Bellek piyasasında Samsung'un en önemli rakiplerinden olan Hynix de geçtiğmiz Aralık ayında 40 nm'lik GDDR5 bellek üretmişti.
Samsung'un yeni 30 nm'lik 2Gb DRAM'leri, 50 nm'lik DRAM'lere göre %30 daha az güç tüketimi yapıyor. Bu yeni bellekler masaüstü bilgisayarlardan, dizüstü bilgisaylara, sunuculardan, taşınabilir cihazlara kadar tüm cihazlarda kullanılabilecek.
30 nm'lik bu yongaların 2010'un ikinci yarısında seri üretime geçmesi bekleniyor. Şirket, 30 nm'lik NAND flash belleklerini geçtiğimiz günlerde piyasaya sürmüştü.
Geliştirilen yeni 30 nm'lik DRAM, 2 Gbit'lik bir DDR3 bellek yongasından oluşuyor.
Samsung Electronics Bellek Bölümü Başkanı Soo-In Cho, 30 nm süreci ile üretilen DDR3'lerin, mevcut en
Bellek piyasasında Samsung'un en önemli rakiplerinden olan Hynix de geçtiğmiz Aralık ayında 40 nm'lik GDDR5 bellek üretmişti.
Samsung, dünyanın ilk 30 nm'lik DRAM'lerini üretti
Daha az güç tüketimiSamsung'un yeni 30 nm'lik 2Gb DRAM'leri, 50 nm'lik DRAM'lere göre %30 daha az güç tüketimi yapıyor. Bu yeni bellekler masaüstü bilgisayarlardan, dizüstü bilgisaylara, sunuculardan, taşınabilir cihazlara kadar tüm cihazlarda kullanılabilecek.
30 nm'lik bu yongaların 2010'un ikinci yarısında seri üretime geçmesi bekleniyor. Şirket, 30 nm'lik NAND flash belleklerini geçtiğimiz günlerde piyasaya sürmüştü.
Hiç yorum yok:
Yorum Gönder